الصين تطور رقائق إلكترونية جديدة خالية من السيليكون

أعلن فريق من الباحثين في جامعة بكين عن تطوير نوع جديد من الترانزستورات ثنائية الأبعاد لا يعتمد على السيليكون، في خطوة يُتوقع أن تُحدث تحولًا كبيرًا في صناعة الرقائق الإلكترونية.

يعتمد الترانزستور الجديد على مادة “بيسموت أوكسي سيلينيد” (Bi₂O₂Se) ويتميز بأداء يفوق أحدث رقائق السيليكون المتوفرة في السوق. وبحسب الفريق البحثي، فإن الترانزستور يعمل بسرعة تزيد بنسبة 40% عن رقائق السيليكون المتقدمة بحجم 3 نانومتر من شركات رائدة مثل إنتل وTSMC، كما يستهلك طاقة أقل بنسبة 10%.

ويتبع الترانزستور هيكلية “البوابة المحيطة بالكامل” (GAAFET)، وهي تقنية تتيح تحكمًا أكبر في تدفق التيار الكهربائي، مما يؤدي إلى أداء أسرع وأكثر كفاءة. وتعتمد البنية الجديدة على مواد ثنائية الأبعاد بسُمك ذري واحد، ما يقلل العيوب ويوفر تدفقًا إلكترونيًا أكثر سلاسة.

ويُعد هذا الابتكار إنجازًا استراتيجيًا في ظل القيود المفروضة على الصين في مجال استيراد تقنيات الرقائق المتقدمة، تم نشر نتائج البحث في مجلة Nature Materials، وسط توقعات بأن يُسهم هذا التقدم في تسريع تطوير رقائق إلكترونية أكثر فعالية في المستقبل القريب.